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NTE2320 Datasheet(PDF) 1 Page - NTE Electronics

Part No. NTE2320
Description  Silicon NPN/PNP Transistor Quad, General Purpose Switch, Amp (Complementary Pair)
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Homepage  http://www.nteinc.com
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NTE2320 Datasheet(HTML) 1 Page - NTE Electronics

   
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NTE2320
Silicon NPN/PNP Transistor
Quad, General Purpose Switch, Amp
(Complementary Pair)
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO
30V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Base Voltage, VCBO
60V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, VEBO
5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous Collector Current, IC
500mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (TA = +25°C, Each Die, Note 1), PD
0.65W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°C
5.18mW/
°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (TA = +25°C, Four Die Equal Power, Note 1), PD
1.25W
. . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°C
10mW/
°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (TC = +25°C, Each Die, Note 1), PD
1.0W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°C
8.0mW/
°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (TC = +25°C, Four Die Equal Power, Note 1), PD
3.0W
. . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°C
24mW/
°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, TJ
–55
° to +150°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg
–55
° to +150°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Reistance, Junction–to–Ambient, RthJA
Each Die
193
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Effective, 4 Die
100
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Reistance, Junction–to–Case, RthJC
Each Die
125
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Effective, 4 Die
41.6
°C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Coupling Factors, Junction–to–Ambient
Q1–Q4 or Q2–Q3
60%
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Q1–Q2 or Q3–Q4
24%
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Coupling Factors, Junction–to–Case
Q1–Q4 or Q2–Q3
30%
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Q1–Q2 or Q3–Q4
20%
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Voltage and current are negative for PNP transistors.


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