Bridge Diode

■外観図　OUTLINE

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor

Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,

Terminal Connection”.

特 長

（J534-1）

114

大容量　シングルインライン型

D50XB80

800V 50A

Package

：TSB-4PIN

Unit : mm

Weight : 22g（typ.）

＋ ∼ ∼ −

① ② ④ ⑤

①

②

④

⑤

管理番号（例）

Control No.

品名

Type No.

ロット記号（例）

Date code

D50XB 80

SHINDENGEN

0264

＋

∼

∼

−

45.7

27

20

7.5

■定格表　RATINGS

℃

℃

V

A

A

kV

N・m

V

μA

℃/W

■定格表 RATINGS

項  目

Item

記号

Symbol

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

電流二乗時間積

Current Squared Time

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

Vdis

TOR

θjc

θja

50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，

一素子当たりの規格値，Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value,

per diode

，Tj=25℃

一括端子・ケース間，AC１分間印加

モールド部上面（端子と平行面）は除く

Terminals to Case, AC 1 minute

Except top（opposite side of the terminal side）of the mold case.

（推奨値：1.2 N・m）

（Recommended torque : 1.2N・m）

50Hz 正弦波，抵抗負荷

50Hz sine wave, Resistance load

フィン付き

With heatsink

Tc = 95℃

Ta = 26℃

フィンなし

Without heatsink

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

接合部・ケース間

Junction to Case

接合部・ 周囲間

Junction to Ambient

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

MAX

1.05

MAX

10

MAX

0.5

MAX

16

−40∼150

150

800

50.0

4.6

600

1800

2.0

1.5

絶縁耐圧

Dielectric Strength

締め付けトルク

Mounting Torque

1ms≦t＜10ms，

条 件

Conditions

品 名

Type No.

単位

Unit

D50XB80

１素子当たりの規格値

per diode

• UL E142422

• 大電流容量

• 高放熱伝導性

• UL E142422

• High Thermal Radiation

Feature