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CPH5804 Datasheet(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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CPH5804 Datasheet(HTML) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
1 / 5 page CPH5804 No.6980-1/5 No. 新 CPH5804 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 N6980 注文コード No. N6980 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 62001 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途(生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 2.9 0.05 0.4 0.95 0.15 0.4 12 3 4 5 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 外形図 2171 (unit : mm) 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ (MCH3312)とショットキバリアダイオード (SBS006M) を 1 パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・ [MOS]1)低オン抵抗。 2)超高速スイッチング。 3)4V 駆動。 ・ [SBD]1)逆回復時間が短い。 2)低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ [MOSFET 部] unit ドレイン・ソース電圧 VDSS −30 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±20 V ドレイン電流(DC) ID −2 A ドレイン電流(パルス) IDP PW ≦ 10 µs, duty cycle ≦ 1% − 8 A 許容損失 PD セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 0.9 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 125 ℃ [SBD 部] unit 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 30 V 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 30 V 平均整流電流 IO 0.5 A サージ電流 IFSM 50Hz 正弦波 1 サイクル 10 A 接合部温度 Tj − 55 ∼+ 125 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 125 ℃ 単体品名表示:QE 62001 TS IM ◎佐藤 TA-3172 |
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