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FF300R12KE4P Datasheet(PDF) 2 Page - Infineon Technologies AG

Part # FF300R12KE4P
Description  62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material
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Manufacturer  INFINEON [Infineon Technologies AG]
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FF300R12KE4P Datasheet(HTML) 2 Page - Infineon Technologies AG

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2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12KE4P
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:AKB
approvedby:MK
dateofpublication:2016-04-04
revision:V2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES

1200
 V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 80°C, Tvj max = 175°C
IC nom

300
 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM

600
 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES

+/-20
 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,75
2,00
2,05
2,15
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 11,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGEth
5,20
5,80
6,40
V
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
2,50
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
2,5
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
19,0
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,70
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8
td on
0,20
0,25
0,27
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8
tr
0,045
0,05
0,055
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8
td off
0,50
0,60
0,62
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8
tf
0,10
0,16
0,18
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 150°C)
RGon = 1,8
Eon
16,5
25,0
30,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C)
RGoff = 1,8
Eoff
23,5
35,0
39,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE
≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
1200
A
Tvj = 150°C
tP
≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
RthJH
0,121 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C


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