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LP2996LQ Datasheet(PDF) 9 Page - National Semiconductor (TI) |
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LP2996LQ Datasheet(HTML) 9 Page - National Semiconductor (TI) |
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9 / 18 page  9 www.national.com/jpn/ 端子説明 AVIN および PVIN AVIN および PVIN は LP2996 の電源端子です。AVIN は、全内 部回路の電源として用いられます。PVIN は、VTT 生成用の出力 段専用電源です。アプリケーションによっては両電源端子に異な る電源を与えて動作させるのも可能です。 VTT に近い電圧の場 合 RSDON によって出力が制限されますが、PVIN に高電圧を与 えれば最大連続出力電流を増加させることができます。ただし、 PVIN に高電圧を与えると内部電力損失が増え、設計が熱的な 制約を受ける問題点が生じます。 SSTL-2 アプリケーションでは、 AVINとPVINをともに 2.5Vレールに接続するのが最も妥当です。 短絡により 2 つの端子を個別にバイパスする必要はありません。 入力電圧の選択に対する唯一の制約として、 PVIN は AVIN 以下 でなければなりません。 過度の内部電力消費による熱リミットへの 到達を防ぐため、PVIN は 3.3V 以下の電圧レールに接続すること を推奨します。 接合部温度がサーマル・シャットダウン温度超える と、デバイスはマニュアルでのシャットダウン時と同じ状態に入り、 VREF はそのまま維持されますが、VTT は TRI-STATE になります。 VDDQ VDDQ は入力で、VTT のレギュレートに必要な内部リファレンス電 圧の生成に使われます。リファレンス電圧は 2 個の 50kΩ 内蔵抵 抗の分圧によって生成されます。これによって、VTT の VDDQ/2 に対する正確な追従が得られます。リモート・センスとなるように VDDQ 端子に配線してください。AVIN または PVIN の代わりに、 DIMM 点の 2.5V を VDDQ に直接接続すればよいでしょう。こう すると内部リファレンス電圧は、電源配線での電圧降下の影響を 受けずに、 DDRメモリ部の電源電圧に正確に追従します。SSTL- 2 アプリケーションで VDDQ は 2.5V なので、ターミネーション電圧 VTTとして 1.25V が生成されます。( 温度に対する VTT の変化 範囲の正確な値は「電気的特性」の表を参照してください )。 VSENSE 本センス端子の目的は、遠端の負荷レギュレーションの改善にあ ります。 多くのマザーボードでは、VTT は長い配線を通ってターミ ネーション抵抗に接続されます。このとき LP2996 の出力点で電 圧のセンスを行うと、長い配線によって起こる大きな電圧降下によ り、バス端のターミネーション電圧はバスの他点よりも低くなってしま う問題が生じます。そこでバスの中点付近の電圧を VSENSE 端 子に与え、バス遠端で電圧が低下する問題を改善するようにして ください。この方法によりバス全体の電圧が良好に保たれます。 遠端での負荷レギュレーションを行わない場合は、VSENSE 端子 には VTT を与えなければなりません。 VSENSE 信号の配線をメモ リに近接して実装する際は注意が必要です。 VSENSE 配線にノ イズが重畳するとVTTの正確なレギュレーションに影響を与える場 合があります。 VSENSE 端子の近くに 0.1μF セラミック・コンデン サを設けると、高周波数信号がフィルタされるので、誤動作を防 げます。 シャットダウン LP2996 は、VTT 出力を TRI-STATE にするアクティブ LOW の シャットダウン端子を備えています。シャットダウン中は VTT に AVIN を超える電圧を与えてはなりません。シャットダウン端子を LOW に した場合、LP2996 の待機時消費電流は下がりますが、VDDQ の インピーダンスは内部リファレンス電圧の生成のために100kΩで一 定です。そのため、シャットダウン時の総電力損失の計算では、 両方の電流 ( 待機時消費電流とVDDQを流れる電流 )を考慮す る必要があります。 詳細は「放熱」の項を参照してください。 シャットダウン端子は内部でプルアップされているため、デバイスを ターンオンする場合はシャットダウン端子を AVIN に接続するか開 放にします。 VREF VREF は内部リファレンス電圧 VDDQ/2 のバッファ出力です。本出 力は、ノースブリッジ・チップセットとメモリに対するリファレンス電 圧として使用します。通常それらの入力のインピーダンスは高いの で、VREF 端子を流れる電流はわずかです。ノイズ対策として端 子近くにバイパス・コンデンサを設けると、レギュレーション性能が 改善されます。推奨品は 0.1μF から 0.01μF のセラミック・コンデ ンサです。 VREF 出力は、Suspend-to-RAM 機能をサポートする ため、シャットダウン時およびサーマル・シャットダウン時もアクティブ 状態を維持します。 VTT VTTはバスのターミネーション抵抗に与えられるレギュレート電圧出 力です。 VDDQ/2 電圧に高い精度で追従し、併せて電流ソース と電流シンクの能力を備えています。LP2996 は、高速応答によっ て最大± 3Aまでのピーク電流変動に対応できるように設計されて います。最大連続電流は VIN の関数で、「代表的な性能特性」 に記載されています。最大連続電流定格を超える変動が長時間 にわたり見込まれるのであれば、出力コンデンサ容量を十分大き くして過度の電圧低下の発生を防いでください。LP2996 は出力 電流の大きな変動にも耐え得るように設計されていますが、すべ ての条件のもとで、そのような状況に長時間対応するのは困難で す。その理由は、小型の標準パッケージを採用しているため、過 大な内部電力損失によって生じる熱を逃がせないためです。 長 時間にわたり大電流が求められる場合は、最大接合部温度を超 えないように注意が必要です。 熱に応じて、使用定格を適切に 下げるようにしてください (「放熱」を参照 )。接合部温度がサー マル・シャットダウン・ポイントを超えると、ヒシテリシスを持つトリッ プ・ポイント温度を下回るまで、VTT は TRI-STATEとなります。 部品の選択 入力コンデンサ LP2996 は、入力安定化を目的とする入力コンデンサは必要では ありません。ただし大きな負荷変動時に入力電圧の低下を防ぐた めに、入力コンデンサの使用を推奨します。 入力コンデンサは、 可能な限り PVIN の近くに配置します。アプリケーションの要件に よって推奨条件が異なります。アルミ電解コンデンサを用いた場 合、推奨容量は 50μF です。セラミック・コンデンサを用いる場合 は、容量は 10μF 前後とし、誘電体の温度特性が X5R 以上の コンデンサが理想的といえます。なお、LP2996 が 2.5V DC-DC コンバータの出力コンデンサの近くにレイアウトされている場合は、 入力コンデンサを省略しても構いません。 2 系統の電源レール (AVIN と PVIN) を使用する場合、PVIN 端子の可能な限り近くに 47μF コンデンサを配置してください。また、デバイスに過度のノイ ズがカップリングしないよう、AVIN 端子に 0.1μF セラミック・コンデ ンサを追加しても構いません。 |
Similar Part No. - LP2996LQ |
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Similar Description - LP2996LQ |
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