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NB10HSA08 Datasheet(PDF) 1 Page - National Instruments Corporation |
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NB10HSA08 Datasheet(HTML) 1 Page - National Instruments Corporation |
1 / 2 page 10A Avg. 80Volts Schottky Barrier Diode DSE-13051(1/2) NB10HSA08 構造:ショットキーバリアダイオード(SBD) Construction : Schottky Barrier Diode 用途:高周波整流用 Application : High-Frequency Rectification 特長 Feature 小型 SMD Small SMD 低熱抵抗 Lower Thermal-Resistance 高電流 High Current Capability Tj=150℃ Tj=150℃ ■ 絶対最大定格(表示無き場合 Ta=25℃) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless otherwise stated) 項目 Item 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Rating 単位 Units くり返しピーク逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM - 80 V Tl=91℃,VRM=40V (Tl:Lead Temperature) 10 平均整流電流 Average Rectified Output Current IO 50Hz 正弦全波通電 抵抗負荷 *1 50H Full Sine Wave, Resistive Load Ta=29℃ *2 VRM=40V 3.0 A 実効順電流 RMS Forward Current IF(RMS) - 11.1 A サージ順電流 Surge Forward Current IFSM 50Hz 正弦全波 1 サイクル 非繰り返し 50Hz Full Sine Wave,1 cycle,Non-repetitive 120 A 動作接合温度範囲 Operation Junction Temperature Range Tjw - -40~+150 ℃ 保存温度範囲 Storage Temperature Range Tstg - -40~+150 ℃ ■電気的・熱的特性 Electrical / Thermal Characteristics 項目 Item 記号 Symbol 条件 Conditions 最小値 min. 代表値 typ. 最大値 max. 単位 Units ピーク逆電流 Peak Reverse Current IRM VRM=VRRM,Tj=25℃, Per diode - - 100 µA ピーク順電圧 Peak Forward Voltage VFM IFM=5.0A,Tj=25℃,Per diode - - 0.7 V 接合容量 Junction Capacitance Cj f=100kHz,VR=10V,Per diode 135 - pF Rth(j-l) 接合部・リード間 Junction to Lead - - 7 ℃/W 熱抵抗 Thermal Resistance Rth(j-a) 接合部・周囲間 Junction to Ambient *2(ガラエポ基板実装) - - 60 ℃/W *1 : カソードコモン動作による/Common Cathode Operation *2 : プリント基板実装 /Glass-Epoxy Substrate Mounted (Soldering Land=2.0*1.5mm,2.0*3.5mm,Both Sides) ● 本資料の記載内容は製品改良などのため予告なく変更することがあります。 ● The content specified herein is subject to change without notice. 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension : mm Package : NB ■ Weight : 0.06g(typ.) ■ Flammability : Epoxy Resin=UL94V-0 Recognized Date of issue:2013.9.25 |
Similar Part No. - NB10HSA08_15 |
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Similar Description - NB10HSA08_15 |
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