Electronic Components Datasheet Search
  English  ▼
ALLDATASHEET.COM

X  

IS43DR86400 Datasheet(PDF) 19 Page - Integrated Silicon Solution, Inc

Part # IS43DR86400
Description  512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
Download  29 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
Manufacturer  ISSI [Integrated Silicon Solution, Inc]
Direct Link  http://www.issi.com
Logo ISSI - Integrated Silicon Solution, Inc

IS43DR86400 Datasheet(HTML) 19 Page - Integrated Silicon Solution, Inc

Back Button IS43DR86400 Datasheet HTML 15Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS43DR86400 Datasheet HTML 16Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS43DR86400 Datasheet HTML 17Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS43DR86400 Datasheet HTML 18Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS43DR86400 Datasheet HTML 19Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS43DR86400 Datasheet HTML 20Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS43DR86400 Datasheet HTML 21Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS43DR86400 Datasheet HTML 22Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS43DR86400 Datasheet HTML 23Page - Integrated Silicon Solution, Inc Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 19 / 29 page
background image
IS43DR86400, IS43/46DR16320  
Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –
19
Rev. 00A, 11/17/2009
IDD Specifications and Conditions
IDD Measurement Conditions 
Symbol Parameter/Condition 
IDD0 
Operating Current ‐ One bank Active ‐ Precharge: 
tRC = tRCmin; tCK =tCKmin ; Databus inputs are SWITCHING; Address and control inputs are SWITCHING, CS# = HIGH between valid commands. 
IDD1 
Operating Current ‐ One bank Active ‐ Read ‐ Precharge: 
One bank is accessed with tRCmin, BL = 4, tCK = tCKmin, AL = 0, CL = CLmin; Address bus and control inputs are SWITCHING,CS# = HIGH between valid 
commands; lOUT = 0 mA. 
IDD2P 
Precharge Power‐Down Current: 
 All banks idle; power‐down mode; CKE is LOW; tCK = tCKmin; Data Bus inputs are FLOATING. 
IDD2N 
Precharge Standby Current:  
All banks idle; CS# is HIGH; CKE is HIGH; tCK = tCKmin; Address bus, data bus, and control inputs are SWITCHING. 
IDD2Q 
Precharge Quiet Standby Current:  
All banks idle; CS# is HIGH; CKE is HIGH; tCK = tCKmin; Address bus and control inputs are STABLE; Data Bus inputs are FLOATING. 
IDD3Pf 
Active Power‐Down Current:  
All banks open; CKE is LOW; Address bus and control inputs are STABLE; Data Bus inputs are FLOATING. MRS A12 bit is set to “0”(Fast Power‐down Exit). 
IDD3Ps 
Active Power‐Down Current:  
All banks open; CKE is LOW; Address bus and control inputs are STABLE; Data Bus inputs are FLOATING. MRS A12 bit is set to “1”(Slow Power‐down Exit). 
IDD3N 
Active Standby Current:  
All banks open; CS# is HIGH; CKE is HIGH; tRC = tRASmax; tCK = tCKmin; Address bus, data bus, and control inputs are SWITCHING. 
IDD4R 
Operating Current ‐ Burst Read: 
All banks active; continuous burst reads; BL = 4; AL = 0, CL = CLmin; tCK = tCKmin; Address bus, data bus, and control inputs are SWITCHING; IOUT = 0mA. 
IDD4W 
Operating Current ‐ Burst Write:  
All banks active; continuous burst writes; BL = 4; AL = 0, CL = CLmin; tCK = tCKmin; Address bus, data bus, and control inputs are SWITCHING; IOUT = 0mA. 
IDD5B 
Burst Auto‐Refresh Current:  
Refresh command at tRFC = tRFCmin, tCK = tCKmin, CS# is HIGH between valid commands. 
IDD6 
Self‐Refresh Current:  
CKE 0.2V; external clock off, CK and CK# at 0V; tCK = tCKmin; Address bus, data bus, and control inputs, are FLOATING. 
IDD7 
Operating Bank Interleave Read Current: 
1.
All bank interleaving with BL = 4; BL = 4, CL = CLmin; tRCD = tRCDmin; tRRD = tRRDmin; AL = tRCD ‐ 1, IOUT = 0 mA. Address and control inputs are 
stable during DESELECT; Data Bus inputs are SWITCHING. 
2.
Timing pattern: 
a.
DDR2 ‐400 (200Mhz, CL=3) : tCK = 5 ns, BL = 4, tRCD = 3 x tCK, AL = 2 x tCK, tRC = 12 x tCK 
Read : A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D D D 
b.
DDR2 ‐533 (266Mhz, CL=4) : tCK = 3.7 ns, BL = 4, tRCD = 4 x tCK, AL = 3 x tCK, tCK = 16 x tCK 
Read : A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D D D D 
c.
DDR2 ‐667 (333Mhz, CL=4) :tCK = 3 ns, BL = 4, tRCD = 4 x tCK, AL = 3 x tCK, tRC = 19 x tCK 
Read : A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 D D D D D 
Notes: 
1.
Data Bus consists of DQ, DM, DQS, DQS#, RDQS, RDQS#, LDQS, LDQS#, UDQS and UDQS#. 
2.
Definitions for IDD : 
a.
LOW is defined as VIN ≤ VILAC(Max). 
b.
HIGH is defined as VIN ≥ VIHAC(Min). 
c.
STABLE is defined as inputs are stable at a HIGH or LOW level. 
d.
FLOATING is defined as inputs are VREF. 
e.
SWITCHING is defined as inputs are changing between HIGH and LOW every other clock for address and control signals, and inputs changing 50% of 
each data transfer for DQ signals. 
3. Legend: A=Activate, RA=Read with Auto‐Precharge, D=DESELECT. 
 


Similar Part No. - IS43DR86400

ManufacturerPart #DatasheetDescription
logo
Integrated Silicon Solu...
IS43DR86400 ISSI-IS43DR86400 Datasheet
867Kb / 29P
   Clock frequency up to 400MHz
IS43DR86400B ISSI-IS43DR86400B Datasheet
760Kb / 29P
   512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR86400B-25DBI ISSI-IS43DR86400B-25DBI Datasheet
729Kb / 30P
   512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR86400B-25DBLI ISSI-IS43DR86400B-25DBLI Datasheet
729Kb / 30P
   512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR86400B-25EBLI ISSI-IS43DR86400B-25EBLI Datasheet
729Kb / 30P
   512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
More results

Similar Description - IS43DR86400

ManufacturerPart #DatasheetDescription
logo
Integrated Silicon Solu...
IS43DR16320B-37CBLI ISSI-IS43DR16320B-37CBLI Datasheet
729Kb / 30P
   512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR86400B ISSI-IS43DR86400B Datasheet
760Kb / 29P
   512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
logo
Micron Technology
MT47H32M16CC3B MICRON-MT47H32M16CC3B Datasheet
2Mb / 133P
   512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
MT47H64M8B6-25ELDTR MICRON-MT47H64M8B6-25ELDTR Datasheet
2Mb / 133P
   512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
MT48LC128M4A2 MICRON-MT48LC128M4A2_07 Datasheet
2Mb / 68P
   512Mb x4, x8, x16 SDRAM
logo
Integrated Silicon Solu...
IS43DR81280A ISSI-IS43DR81280A Datasheet
855Kb / 28P
   1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR81280 ISSI-IS43DR81280 Datasheet
863Kb / 28P
   1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR81280B ISSI-IS43DR81280B Datasheet
549Kb / 28P
   1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM
logo
Micron Technology
MT47H16M16BG-3ITB MICRON-MT47H16M16BG-3ITB Datasheet
1Mb / 129P
   256Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
MT47H64M16HR-25ELH MICRON-MT47H64M16HR-25ELH Datasheet
1Mb / 132P
   1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29


Datasheet Download

Go To PDF Page


Link URL




Privacy Policy
ALLDATASHEET.COM
Does ALLDATASHEET help your business so far?  [ DONATE ] 

About Alldatasheet   |   Advertisement   |   Datasheet Upload   |   Contact us   |   Privacy Policy   |   Link Exchange   |   Manufacturer List
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com