Electronic Components Datasheet Search
  English  ▼
ALLDATASHEET.COM

X  

IS49NLC18320 Datasheet(PDF) 6 Page - Integrated Silicon Solution, Inc

Part # IS49NLC18320
Description  576Mb (x9, x18, x36) Common I/O RLDRAM 2 Memory
Download  34 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
Manufacturer  ISSI [Integrated Silicon Solution, Inc]
Direct Link  http://www.issi.com
Logo ISSI - Integrated Silicon Solution, Inc

IS49NLC18320 Datasheet(HTML) 6 Page - Integrated Silicon Solution, Inc

Back Button IS49NLC18320 Datasheet HTML 2Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS49NLC18320 Datasheet HTML 3Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS49NLC18320 Datasheet HTML 4Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS49NLC18320 Datasheet HTML 5Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS49NLC18320 Datasheet HTML 6Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS49NLC18320 Datasheet HTML 7Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS49NLC18320 Datasheet HTML 8Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS49NLC18320 Datasheet HTML 9Page - Integrated Silicon Solution, Inc IS49NLC18320 Datasheet HTML 10Page - Integrated Silicon Solution, Inc Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 6 / 34 page
background image
IS49NLC96400,IS49NLC18320,IS49NLC36160
Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –
Rev. 00E, 06/20/2012
6
2 Electrical Specifications 
2.1 Absolute Maximum Ratings 
Item 
Min 
Max 
Units 
I/O Voltage 
 0.3 
VDDQ + 0.3 
V
Voltage on VEXT supply relative to VSS 
 0.3 
+ 2.8 
V
Voltage on VDD supply relative to VSS 
 0.3 
+ 2.1 
V
Voltage on VDDQ supply relative to VSS 
 0.3 
+ 2.1 
V
Note: Stress greater than those listed in this table may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at 
these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions 
for extended periods may affect reliability. 
 
2.2 DC Electrical Characteristics and Operating Conditions 
Description 
Conditions 
Symbol 
Min 
Max 
Units 
Notes 
Supply voltage 
 
VEXT 
2.38 
2.63 
V  
Supply voltage 
 
VDD 
1.7 
1.9 
Isolated output buffer supply 
 
VDDQ 
1.4 
VDD 
2,3 
Reference voltage 
 
VREF 
0.49 x VDDQ 
0.51 x VDDQ 
4,5,6 
Termination voltage 
 
VTT 
0.95 x VREF 
1.05 x VREF 
7,8 
Input high voltage 
 
VIH 
VREF + 0.1 
VDDQ + 0.3 
Input low voltage 
 
VIL 
VSSQ  0.3 
VREF  0.1 
Output high current 
VOH = VDDQ/2 
IOH 
(VDDQ/2)/
(1.15 x RQ/5) 
(VDDQ/2)/ 
(0.85 x RQ/5) 
9, 10, 11 
Output low current 
VOL = VDDQ/2 
IOL 
(VDDQ/2)/
(1.15 x RQ/5) 
(VDDQ/2)/ 
(0.85 x RQ/5) 
9, 10, 11 
Clock input leakage current 
0V ≤ VIN ≤ VDD 
ILC 
 5 
µA  
Input leakage current 
0V ≤ VIN ≤ VDD 
ILI 
 5 
µA  
Output leakage current 
0V ≤ VIN ≤ VDDQ 
ILO 
 5 
µA  
Reference voltage current  
IREF 
 5 
µA  
Notes: 
1.
All voltages referenced to VSS (GND). 
2.
Overshoot: VIH (AC) ≤ VDD + 0.7V for t ≤ tCK/2. Undershoot: VIL (AC) ≥ –0.5V for t ≤ tCK/2. During normal operation, VDDQ must not exceed VDD. Control input signals 
may not have pulse widths less than tCK/2 or operate at frequencies exceeding tCK (MAX). 
3.
VDDQ can be set to a nominal 1.5V ± 0.1V or 1.8V ± 0.1V supply. 
4.
Typically the value of VREF is expected to be 0.5 x VDDQ of the transmitting device. VREF is expected to track variations in VDDQ
5.
Peak‐to‐peak AC noise on VREF must not exceed ±2 percent VREF (DC). 
6.
VREF is expected to equal VDDQ/2 of the transmitting device and to track variations in the DC level of the same. Peak‐to‐peak noise (non‐common mode) on VREF 
may not exceed ±2 percent of the DC value. Thus, from VDDQ/2, VREF is allowed ±2 percent VDDQ/2 for DC error and an additional ±2 percent VDDQ/2 for AC noise. 
This measurement is to be taken at the nearest VREF bypass capacitor. 
7.
VTT is expected to be set equal to VREF and must track variations in the DC level of VREF
8.
On‐die termination may be selected using mode register A9 (for non‐multiplexed address mode) or Ax9 (for multiplexed address mode). A resistance RTT from 
each data input signal to the nearest VTT can be enabled. RTT = 125–185Ω at 95°C TC
9.
IOH and IOL are defined as absolute values and are measured at VDDQ /2. IOH flows from the device, IOL flows into the device. 
10. If MRS bit A8 or Ax8 is 0, use RQ = 250Ω in the equation in lieu of presence of an external impedance matched resistor. 
 
2.3 Capacitance (TA = 25 °C, f = 1MHz) 
Parameter 
Symbol 
Test Conditions 
Min 
Max 
Units 
Address / Control Input capacitance 
CIN 
VIN=0V 
1.5 
2.5 
pF 
I/O, Output, Other capacitance (DQ, DM, QK, QVLD) 
CIO 
VIO=0V 
3.5 
5.0 
pF 
Clock Input capacitance 
CCLK 
VCLK=0V 
2.0 
3.0 
pF 
JTAG pins 
CJ 
VJ=0V 
2.0 
5.0 
pF 
Note. These parameters are not 100% tested and capacitance is not tested on ZQ pin. 


Similar Part No. - IS49NLC18320

ManufacturerPart #DatasheetDescription
logo
Integrated Silicon Solu...
IS49NLC18320A ISSI-IS49NLC18320A Datasheet
980Kb / 36P
   Reduced cycle time
More results

Similar Description - IS49NLC18320

ManufacturerPart #DatasheetDescription
logo
Integrated Silicon Solu...
IS49NLC93200 ISSI-IS49NLC93200 Datasheet
622Kb / 34P
   288Mb (x9, x18, x36) Common I/O RLDRAM 2 Memory
IS49NLS96400 ISSI-IS49NLS96400 Datasheet
575Kb / 34P
   576Mb (x9, x18) Separate I/O RLDRAM??2 Memory
logo
Micron Technology
MT44K32M18 MICRON-MT44K32M18 Datasheet
6Mb / 111P
   576Mb: x18, x36 RLDRAM 3
logo
Integrated Silicon Solu...
IS49NLS93200 ISSI-IS49NLS93200 Datasheet
596Kb / 34P
   288Mb (x9, x18) Separate I/O RLDRAM 2 Memory
logo
Micron Technology
MT49H32M9 MICRON-MT49H32M9 Datasheet
2Mb / 76P
   288Mb: x9, x18, x36 2.5V VEXT, 1.8V VDD, HSTL, CIO, RLDRAM II
logo
Cypress Semiconductor
CY7C43646 CYPRESS-CY7C43646 Datasheet
640Kb / 39P
   1K/4K/16K x36/x18/x2 Tri Bus FIFO
CYD18S36V18 CYPRESS-CYD18S36V18 Datasheet
63Kb / 2P
   18-Mb/9-Mb/4-Mb x36/x18 FullFlex??Dual-Ports
logo
List of Unclassifed Man...
GS816136T-166I ETC-GS816136T-166I Datasheet
1Mb / 40P
   165 Bump BGA-x18 Commom I/O - Top View (Package D)
logo
Integrated Silicon Solu...
IS61LF12836EC-6.5TQ ISSI-IS61LF12836EC-6.5TQ Datasheet
2Mb / 36P
   128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM
logo
AverLogic Technologies ...
AL4CX263 AVERLOGIC-AL4CX263 Datasheet
41Kb / 2P
   16K/32K/64K/128K x9, 8K/16K/32K/64K x18 Synchronous FIFO
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34


Datasheet Download

Go To PDF Page


Link URL




Privacy Policy
ALLDATASHEET.COM
Does ALLDATASHEET help your business so far?  [ DONATE ] 

About Alldatasheet   |   Advertisement   |   Datasheet Upload   |   Contact us   |   Privacy Policy   |   Link Exchange   |   Manufacturer List
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com