A150AG-02 datasheet(1/1 Pages) HUASHAN

Part #	A150AG-02

Description	PNP SILICON TRANSISTOR

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Manufacturer	HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

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汕头华汕电子器件有限公司

█　芯片简介

█　管芯示意图

█ 极限值（T

a=25℃）（封装形式：TO-220）

█ 电参数（T

a=25℃）（封装形式：TO-220）

参数符号

符

号

说

明

最小值典型值最大值

单位

测

试

条

件

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE

VCE(sat)

VBE(on)

fT

Cob

集电极— 基极击穿电压

集电极— 发射极击穿电压

发射极— 基极击穿电压

集电极— 基极截止电流

发射极— 基极截止电流

直流电流增益

集电极— 发射极饱和电压

基极— 发射极导通电压

特征频率

共基极输出电容

-150

-5

40

-0.65

4

75

-0.75

55

-10

140

-1

-0.85

V

µA

V

MHz

pF

IC=-500µA ，IE=0

IC=-10mA，IB=0

IE=-500µA ，IC=0

VCB=-120V，IE=0

VEB=-5V，IC=0

VCE=-10V，IC=-500mA

IC=-500mA，IB=-50mA

VCE=-10V，IC=-500mA

VCB=-10V，IE=0,

f=1.0MHz

PNP

S I L I C O N

T R A N S I S T O R

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：A150AG-02

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1500×1500µm2

焊位尺寸：B 极 290×450µm2；E 极 285×450µm2

电极金属：铝

背面金属：银

典型封装：HA940

940L 晶体管芯片说明书

Tstg——贮存温度………………………………… －55~150℃

Tj——结温………………………………………………150℃　

PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）

……………………… 25W

PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）………………………1.5W

VCBO——集电极—基极电压…………………………- １５０V

VCEO——集电极—发射极电压…………………………-150V

VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V

IC——集电极电流（DC）…………………………………-1.5A

IB——基极电流…………………………………………-0.5A

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