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A150AG-02 Datasheet(PDF) 1 Page - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
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A150AG-02 Datasheet(HTML) 1 Page - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
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1 / 1 page 汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 极限值(T a=25℃)(封装形式:TO-220) █ 电参数(T a=25℃)(封装形式:TO-220) 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 -150 -150 -5 40 -0.65 4 75 -0.75 55 -10 -10 140 -1 -0.85 V V V µA µA V V MHz pF IC=-500µA ,IE=0 IC=-10mA,IB=0 IE=-500µA ,IC=0 VCB=-120V,IE=0 VEB=-5V,IC=0 VCE=-10V,IC=-500mA IC=-500mA,IB=-50mA VCE=-10V,IC=-500mA VCE=-10V,IC=-500mA VCB=-10V,IE=0, f=1.0MHz PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:A150AG-02 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:1500×1500µm2 焊位尺寸:B 极 290×450µm2;E 极 285×450µm2 电极金属:铝 背面金属:银 典型封装:HA940 940L 晶体管芯片说明书 Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散(Tc=25℃) ……………………… 25W PC——集电极功率耗散(Ta=25℃)………………………1.5W VCBO——集电极—基极电压…………………………- 150V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-150V VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V IC——集电极电流(DC)…………………………………-1.5A IB——基极电流…………………………………………-0.5A |
Similar Part No. - A150AG-02 |
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