vorläufige Daten

preliminary data

15

A

25 °C

20

A

min.

typ.

max.

-

1,95

2,55

V

-

2,20

-

V

date of publication:

2002-12-17

revision:

2.0

gate threshold voltage

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Eingangskapazität

input capacitance

nF

-

0,06

-

-

gate charge

Gateladung

prepared by: P. Kanschat

Kollektor Emitter Reststrom

approved: M. Hierholzer

collector emitter cut off current

600

repetitive peak forward current

Charakteristische Werte / characteristic values

Periodischer Spitzenstrom

Isolations Prüfspannung

RMS, f= 50Hz, t= 1min

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

kV

V

V

A²s

W

I²t

2,5

Technische Information / technical information

FS15R06XL4

IGBT-Module

IGBT-Modules

Gate Emitter Spitzenspannung

Gate Schwellenspannung

gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

DC forward current

insulation test voltage

I²t value

DC collector current

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor Emitter Sperrspannung

Kollektor Dauergleichstrom

collector emitter voltage

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

A

repetitive peak collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

A

A

6,5

Grenzlastintegral

34

collector emitter saturation voltage

0,4

mA

4,5

-

V

nF

0,675

-

0,08

-

µC

5,5

-

-

nA

gate emitter leakage current

Gate Emitter Reststrom

-

400

600

30

81

+20

15

30

-5

mA

1 (8)