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Technische Information / technical information

FD800R33KF2C-K

IGBT-Module

IGBT-modules

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Vorläufige Daten

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Modul / module

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Modulinduktivität: IGBT (Zweig 1+2 parallel): 12nH; Diode (Zweig 3): 25nH

stray inductance module: IGBT (arm 1+2 parallel): 12nH; diode (arm 3): 25nH

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine

Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.

It is valid with the appropriate technical explanations.