2N5400 / 2N5401

Min.

Typ.

Max.

Emitter-Base-cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom

–

–-

50 nA

–

–

–

–

0.2 V

0.5 V

–

–

–

–

1.0 V

1.0 V

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

100 MHz

–

400 MHz

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

––

6 pF

Noise figure – Rauschzahl

2N5400

2N5401

F

F

–

–

–

–

–

8 dB

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Recommended complementary NPN transistors

Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren

2N5550 / 2N5551

2

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

[%]

P

tot

120

100

80

60

40

20

0

[°C]

T

A

150

100

50

0

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

1

1