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SPLLL85 Datasheet(PDF) 3 Page - OSRAM GmbH

Part No. SPLLL85
Description  Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung
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Maker  OSRAM [OSRAM GmbH]
Homepage  http://www.osram.com
Logo OSRAM - OSRAM GmbH

SPLLL85 Datasheet(HTML) 3 Page - OSRAM GmbH

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SPL LL85
2006-04-12
3
Optische Kennwerte (
T
A = 25 °C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Zentrale Emissionswellenlänge
1)
Emission wavelength
1)
λ
840
850
860
nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)
1)
Spectral width (FWHM)
1)
∆λ
4
9
nm
Spitzenausgangsleistung
1)
Peak output power
1)
P
opt
12
14
18
W
Ladespannung an der Laserschwelle
Charge Voltage at laser threshold
U
C, th
1.2
1.5
2.0
V
Pulsbreite (Halbwertsbreite)
1), 2)
Pulse width (FWHM)
1), 2)
t
p
25
28
31
ns
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
1), 2)
Rise and fall time (10% … 90%)
1), 2)
t
r,
t
f
7.0
26
9.5
29
12.0
32
ns
ns
Austrittsöffnung
Aperture size
w × h
200
× 2
µm2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum
pn-Übergang
1)
Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction
1)
θ
||
12
15
18
Grad
deg.
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum
pn-Übergang
1)
Beam divergence (FWHM) perpendicular to
pn-junction
1)
θ
27
30
33
Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
∂λ / ∂T
0.25
0.32
nm/K
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
R
th
200
K/W
Einschaltpunkt der Gate-Spannung
Switch on gate voltage
V
G on
4.5
V
1)
Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >40ns Trigger-Pulsbreite, 1kHz Pulswiederholrate, 6.7V
Ladespannung, 15V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec
EL7104C.
Values refer to the following standard operating conditions: >40ns trigger pulse width, 1kHz pulse repetition rate, 6.7V charge voltage,
15V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C.
2)
Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300pF) des internen
Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei Trigger-Pulsbreiten <40ns. Dies bewirkt
jedoch auch eine reduzierte optische Spitzenleistung (siehe Diagramme auf Seite 5).
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300pF) of the internal transistor. Reduced
pulse widths, rise and fall times occur at trigger pulse widths <40ns. This also reduces the optical peak power (see diagrams on page 5).
LASER COMPONENTS IG, Inc., 9 River Road, Hudson, NH 03051 - USA, Phone: +1 603 821 7040, Fax: +1 603 821 7041, info@laser-components.com


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