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MWE6IC9100N Datasheet(PDF) 12 Page - NXP Semiconductors |
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MWE6IC9100N Datasheet(HTML) 12 Page - NXP Semiconductors |
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12 / 23 page  12 RF Device Data Freescale Semiconductor MWE6IC9100NR1 MWE6IC9100GNR1 MWE6IC9100NBR1 Table 7. Common Source Scattering Parameters (VDD = 26 V, 50 ohm system, IDQ1 = 120 mA, IDQ2 = 950 mA) f MHz S11 S21 S12 S22 |S11| ∠φ |S21| ∠φ |S12| ∠φ |S22| ∠φ 750 0.230 95 5.81 --87 0.0007 --119 0.989 --180 760 0.188 93 6.48 --97 0.0007 --116 0.987 180 770 0.149 92 7.18 --107 0.0007 --111 0.985 180 780 0.114 92 7.88 --117 0.0007 --110 0.983 180 790 0.085 96 8.56 --128 0.0008 --109 0.981 180 800 0.063 104 9.22 --139 0.0008 --108 0.979 180 810 0.047 117 9.82 --150 0.0009 --109 0.978 180 820 0.037 134 10.37 --161 0.0009 --110 0.978 --180 830 0.031 156 10.85 --172 0.0009 --111 0.977 --180 840 0.029 --177 11.27 178 0.0010 --113 0.977 --180 850 0.033 --152 11.60 167 0.0010 --114 0.978 --180 860 0.041 --134 11.87 156 0.0010 --117 0.978 --180 870 0.052 --123 12.07 146 0.0010 --119 0.979 --180 880 0.063 --116 12.20 135 0.0010 --122 0.979 --180 890 0.074 --112 12.25 125 0.0010 --123 0.979 180 900 0.084 --109 12.23 115 0.0010 --126 0.980 180 910 0.094 --106 12.15 106 0.0010 --129 0.979 180 920 0.104 --103 12.01 96 0.0010 --131 0.978 180 930 0.113 --99 11.82 86 0.0009 --133 0.978 180 940 0.125 --95 11.57 77 0.0009 --135 0.977 180 950 0.141 --91 11.28 68 0.0008 --138 0.976 180 960 0.160 --88 10.97 59 0.0008 --136 0.976 180 970 0.183 --86 10.62 50 0.0007 --135 0.976 180 980 0.209 --85 10.23 42 0.0006 --133 0.976 180 990 0.238 --85 9.83 34 0.0006 --130 0.975 180 1000 0.268 --86 9.41 26 0.0006 --125 0.975 180 |
Similar Part No. - MWE6IC9100N |
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