BCR08PN

Characteristics

Kennwerte

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

T1 - NPN

T2 - PNP

70

–

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung

1)

T1 - NPN

T2 - PNP

–

–

300 mV

Input voltage (on) – Eingangsspannung (Ein)

T1 - NPN

T2 - PNP

500 mV

–

1100 mV

Input voltage (off) – Eingangs-Spannung (Aus)

T1 - NPN

T2 - PNP

400 mV

–

800 mV

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

E open

T1 - NPN

T2 - PNP

–

–

100 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom

C open

T1 - NPN

T2 - PNP

–

–

164 µA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

T1 - NPN

T2 - PNP

–

170 Mhz

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

T1 - NPN

T2 - PNP

–

2 pF

–

Input resistor – Eingangswiderstand

R1

1.5 kΩ

2.2 kΩ

2.9 kΩ

Resistance ratio – Widerstandsverhältnis

R2/R1

0.042

0.047

0.052

Typical thermal resistance junction to ambient (per device)

Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)

420 K/W

2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1

2

Mounted on P.C. board with 3 mm

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

[%]

P

tot

120

100

80

60

40

20

0

[°C]

T

A

150

100

50

0

Power dissipation versus ambient temperature )

2

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

2