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RT1P237C Datasheet(PDF) 2 Page - List of Unclassifed Manufacturers

Part # RT1P237C
Description  TRANSISTOR
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RT1P237C Datasheet(HTML) 2 Page - List of Unclassifed Manufacturers

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ＲＴ１Ｐ２３７Ｘシリーズ
スイッチング用
シリコンＰＮＰエピタキシァル形
抵抗入りトランジスタ
最大定格（Ｔａ＝２５℃）
定格 値
記号
項目
RT1P237T
RT1P237U
RT1P237M
RT1P237C
RT1P237S
単位
Ｖ
ＣＢＯ
コレクタ・ベース間電圧
-50
V
Ｖ
ＥＢＯ
エミッタ・ベース間電圧
-6
V
Ｖ
ＣＥＯ
コレクタ・エミッタ間電圧
-50
V
Ｉ
Ｃ
コレクタ電流
-100
mA
Ｉ
ＣＭ
せん頭コレクタ電流
-200
mA
Ｐ
Ｃ
コレクタ損失
125(※)
125
150
450
mW
Ｔｊ
接合部温度
+125
+150
℃
Ｔｓｔｇ
保存温度
-55～+125
-55～+150
℃
※ ガラスエポキシ基板 9×19×1mm 実装時
電気特性（Ｔａ＝２５℃）
特性値
記号
項目
測定条件
最小
標準
最大
単位
Ｖ
（ＢＲ）ＣＥＯ
コレクタ・エミッタ降伏電圧
I
C=-100μA，RBE=∞
-50
V
Ｉ
ＣＢＯ
コレクタしゃ断電流
V
CB=-50V，I E =0
-0.1
μA
ｈ
ＦＥ
直流電流増幅率
V
CE=-5V，I C =-10mA
80
－
Ｖ
ＣＥ（ｓａｔ）
コレクタ・エミッタ飽和電圧
I
C =-10mA，I B =-0.5mA
-0.3
V
Ｖ
Ｉ（ＯＮ）
入力オン電圧
V
CE=-0.2V，I C =-5mA
-0.7
-1.1
V
Ｖ
Ｉ（ＯＦＦ）
入力オフ電圧
V
CE=-5V，I C =-100μA
-0.5
-0.6
V
Ｒ
１
入力抵抗
1.5
2.2
2.9
kΩ
Ｒ
２／Ｒ１
抵抗比率
17
22
26
ｆ
Ｔ
利得帯域幅積
V
CE=-6V，I E =10mA
150
MHz
標準特性（Ｔａ＝２５℃）
-10
-100
-1000
-0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
コレクタ電流－入力オフ電圧
入力オフ電圧 V
I(OFF) (V)
V
CE=-5V
直流電流増幅率－コレクタ電流
コレクタ電流 I
C (mA)
10
100
1000
-1
-10
-100
V
CE=-5V
コレクタ電流 I
C (mA)
入力オン電圧－コレクタ電流
-0.1
-1
-10
-1
-10
-100
V
CE=-0.2V


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