NTE6080

Silicon Schottky Barrier Rectifier

Description:

The NTE6080 is a silicon switchmode power rectifier using the Schottky Barrier principle with a platinum

barrier metal.

Features:

D Guard–Ring for Stress Protection

D Low Forward Voltage

D +150°C Operating Junction Temperature

D Guaranteed Reverse Avalanche

D Low Power Loss/High Efficiency

D High Surge Capacity

D Low Stored Charge Majority Carrier Conduction

Absolute Maximum Ratings:

60V

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60V

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60V

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10A

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20A

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(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60Hz)

150A

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Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0

500mA

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–65

° to +150°C

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–65

° to +175°C

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1000V/

µs

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2.0

°/W

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60

°/W

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