NTE457

Silicon N–Channel JFET Transistor

General Purpose Amp, Switch

Absolute Maximum Ratings:

25V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

25V

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–25V

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10mA

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310mW

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Derate Above 25

°C

2.82mW/

°C

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

+125

°C

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–65

° to +150°C

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Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

OFF Characteristics

Gate–Source Breakdown Voltage

S

–25

–

–

V

Gate Reverse Current

–

–

–1

mA

–

–

–200

mA

Gate–Source Cutoff Voltage

–0.5

–

–6.0

V

Gate–Source Voltage

–

–

–2.5

V

ON Characteristics

Zero–Gate Voltage Drain Current

1

3

5

mA

Small–Signal Characteristics

Forward Transfer Admittance

Common Source

Note 1

1000

–

5000

µmhos

Output Admittance Common Source

Note 1

–

10

50

µmhos

Input Capacitance

–

4.5

7.0

pF

Reverse Transfer Capacitance

–

1.5

3.0

pF

Note 1. Pulse Test: Pulse Width

≤ 630ms, Duty Cycle ≤ 10%.