20SQ045-3G

Characteristics

Kennwerte

Type

Typ

Forward voltage

Durchlass-Spannung

Forward voltage

Durchlass-Spannung

20SQ045-3G

< 0.43

typ. 0.25

5

25°C

125°C

< 0.55

20

25°C

Leakage current

Sperrstrom

< 200 µA

typ. 3 mA

Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität

510 pF

Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

< 12 K/W 1)

Thermal resistance junction to lead – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht

< 2.5 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test

Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

10

10

1

10

10

2

-1

-2

[A]

I

F

0

V

F

0.4

0.6

[V]

1.0

T = 25°C

j

T = 125°C

j

[mA]

I

R

0

V

RRM

40

60

80

100 [%]

Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage

Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung

T = 25°C

j

T = 100°C

j

T = 125°C

j

T = 75°C

j

T = 50°C

j

T = 150°C

j

120

100

80

60

40

20

0

[%]

I

FAV

Rated forward current versus ambient temperature )

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )

1

1

[°C]

T

A

150

100

50

0