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FW261 Datasheet(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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1 / 2 page  FW261 HD 021108 ◎圓井 No.0000-1/2 No. 新 FW261 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 特長 ・低オン抵抗。 ・4V 駆動。 ・超高速スイッチング用。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ unit ドレイン・ソース電圧 VDSS 30 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±20 V ドレイン電流（DC） ID 5A ドレイン電流（PW ＝ 10s） ID duty cycle ≦ 1% 6 A ドレイン電流（PW ＝ 100ms） ID duty cycle ≦ 1% 10 A ドレイン電流（PW ≦ 10 µs）IDP duty cycle ≦ 1% 20 A 許容損失 P D セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時 1unit,PW ≦ 10s 1.8 W 全損失 PT セラミック基板(2000mm2 × 0.8mm)装着時 ,PW ≦ 10s 2.2 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼＋ 150 ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ min typ max unit ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 30 V ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS=30V, VGS=0 1 µA ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 16V, VDS=0 ± 10 µA ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) VDS=10V, ID=1mA 1.2 2.6 V 順伝達アドミタンス yfs VDS=10V, ID=5A 3.9 5.5 S ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 ID=5A, VGS=10V 37 48 m Ω RDS(on)2 ID=3A, VGS=4V 64 83 m Ω 入力容量 Ciss VDS=10V, f=1MHz 460 pF 出力容量 Coss VDS=10V, f=1MHz 95 pF 帰還容量 Crss VDS=10V, f=1MHz 75 pF 次ページへ続く。 単体品名表示 : W261 N0000 注文コード No. N0000 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ モータドライブ・DC / DC コンバータ用 90601 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途（生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 SANYO : SOP8 外形図 2129 (unit : mm) 14 5 8 0.2 5.0 0.595 1.27 0.43 暫定規格 |
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