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N79E815 Datasheet(PDF) 7 Page - List of Unclassifed Manufacturers |
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N79E815 Datasheet(HTML) 7 Page - List of Unclassifed Manufacturers |
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7 / 179 page  N79E815A/814A/8132A 中文规格书 2016年2月20日 第7页 总179页 版本 V3.00 2 特性 内核 全静态8位CMOS加速51(4T) CMOS微控制器 指令与MCS-51兼容 工作电压范围 VDD = 4.5V to 5.5V @ FOSC 最高至 24MHz VDD = 3.0V to 5.5V @ 内部 RC 22.1184MHz VDD = 2.4V to 5.5V @ FOSC = 12MHz 或内部 RC 11.0592MHz 工作温度范围 -40 C ~85C 时钟源 高速外部振荡器: - 最高24 MHz 晶振和振荡器 (由配置位CONFIG使能) 内部RC 振荡器: 22.1184MHz/11.0592MHz (由配置位CONFIG选择) - 在 V DD = 5V 温度 25C 条件下精度为 1% - 在 V DD = 2.7V ~ 5.5V 温度 25C 条件下精度为 3% - 在 V DD = 2.7V ~ 5.5V 温度 -10C~+70C 条件下精度为 5% - 在 V DD = 2.7V ~ 5.5V 温度 -40C ~ 85C 条件下精度为 8% CPU时钟源由配置位CONFIG决定，仅在编程器烧写代码时更改 8-位可编程的CPU时钟除频器 (DIVM) 芯片内存 FLASH 擦写/编程次数 100,000次 N79E815A ：总共 16K-字节分别用于APROM程序闪存存储器 加 数据闪存存储器 （由配置位定义各自容量） N79E814A：8K字节APROM 程序闪存存储器 和 4K-字节数据闪存存储器 N79E8132A：4K字节 APROM 程序闪存存储器 和 4K-字节数据闪存存储器 APROM闪存存储器/ LDROM闪存存储器 和 数据闪存存储器 都可加密保护 全部闪存存储器区域128字节为一页 256 字节片上直接/间接RAM 256 字节MOVX-RAM, 用指令MOVX 访问. 2K-字节LD 闪存存储器 用于ISP功能(LDROM) 片上闪存存储器可用以下方式编程 - 通用 H/W 烧录器模式 - 串行方式在电路编程模式 (ICP) - 软件执行ISP (在线编程) I/O端口 根据不同封装，最多 25个 I/O端口 除P1.2和P1.3外，所有引脚支持由软件配置的4种不同模式 |
Similar Part No. - N79E815 |
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Similar Description - N79E815 |
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