SCA(SCE)160AA

Peak Forward Gate Voltage（10V）

定格ピークゲート順電圧

Peak Gate Power（10W）

定格ピークゲート損失

Maximum Gate Non-Trigger Voltage

最小非トリガ電圧

Average Gate Power（3W）

定格ピークゲート損失

Gate Characteristics

ゲートトリガ特性

Gate Current（mA）

ゲート電流（mA）

1

0.1

10

100

1000

100

1

10000

125℃

−30℃

−30℃

25℃

25℃

ゲ

ー

ト

電

圧

（V）

Tｊ=25℃

Tｊ=25℃

Maximum Forward Characteristics

最大順特性

100

1000

10000

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

10

オ

ン

電

流

（A）

   Max.

   Max.

（Unless otherwise specified Tj＝25℃／指定なき場合はTj＝25℃とする）

Repetitive Peak Off-state Current, max

最大オフ電流

Tj

100

mA

*Repetitive Peak Reverse Current, max

＊最大逆電流

Tj

100

mA

*On-state

（Forward）Voltage, max

＊最大オン（順）電圧

＝500A

1.4

V

*Threshold Voltage, max

＊最大閾値電圧

Tj

＝25℃

1.0

V

Tj

＝125℃

0.85

rt

*Dynamic Resistance, max

＊最大オン抵抗

Tj

＝25℃

1.0

m

Ω

Tj

＝125℃

1.3

Gate Trigger Current, max

最大ゲートトリガ電流

100

mA

Gate Trigger Voltage, max

最大ゲートトリガ電圧

3

V

Gate Non-Trigger Voltage, min

最小ゲート非トリガ電圧

Tj

0.25

V

dv/dt

Critical Rate of Rise of Off-state Voltage, min

最小臨界オフ電圧上昇率

Tj

1000

V/

μs

Rth

（j-c） *Thermal Impedance, max

＊最大熱抵抗

cont., Junction to case, per one element

0.17

℃/W

Rth

（j-c） *Effective Thermal Impedance, max

＊最大実効熱抵抗

sin.180

°,Junction to case, per one element

0.18

℃/W

rec.120

°,Junction to case, per one element

0.19

Rth

（c-s） *Interface Thermal Impedance, max

＊最大接触熱抵抗

Case to Heat sink, per one element

ケース―ヒートシンク間, 単位エレメント当り

Thermal conductivity

0.1

℃/W

*mark: Thyristor and Diode part, No mark: Thyristor part.

注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。