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1N4151 Datasheet(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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1 / 2 page 1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 Ultrafast Recovery Rectifier Diodes Gleichrichterdioden mit ultraschnellem Sperrverzug IFAV = 150...200 mA VF1 < 0.54 V Tjmax = 200°C VRRM = 50...100 V IFSM = 2000...4000 mA trr < 2...4 ns Version 2015-11-20 ~DO-35 / ~(SOD-27) Dimensions - Maße [mm] Typical Applications Signal processing, High-speed switching Commercial grade 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten Standardausführung 1) Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1 ) Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.17 g Gewicht ca. Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Reverse voltage Sperrspannung VR [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1N4148 75 100 1N4150 50 50 1N4151 50 75 1N4448 75 100 Type Typ 1N4148 1N4448 1N4150 1N4151 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last IFAV 150 mA 3) 300 mA 3) 200 mA 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 500 mA 3) 600 mA 3) 500 mA 3) Non-repetitive peak forward current Stoßstrom-Grenzwert tp = 1 µs Tj = 25°C IFSM 2000 mA 4000 mA 2000 mA Max. power dissipation Max. Verlustleistung Ptot 500 mW 3) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+200°C -50...+200°C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Ø 1.9±0.1 Ø max 0.5 Pb RoHS |
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