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BZV58C110 Datasheet(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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BZV58C110 Datasheet(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
1 / 2 page 1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 218 28.02.2002 BZV58 C8V2 … BZV58 C200 (5 W) Silicon-Power-Z-Diodes Silizium-Leistungs-Z-Dioden (non-planar technology) (flächendiffundierte Dioden) Maximum power dissipation 5 W Maximale Verlustleistung Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 8.2…200 V Plastic case ~ DO-201 Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. 1 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm Standard packaging taped in ammo pack see page 16 Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16 Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte Power dissipation T A = 25 /CP tot 5.0 W 1) Verlustleistung Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms T A = 25 /CP ZSM 60 W Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T j – 50…+150 /C Storage temperature – Lagerungstemperatur T S – 50…+175 /C Thermal resistance junction to ambient air R thA < 25 K/W 1) Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to lead R thL < 8 K/W Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht Zener voltages see table on next page Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite |
Similar Part No. - BZV58C110 |
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