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ZMY5.6 Datasheet(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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ZMY5.6 Datasheet(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
1 / 2 page 1) Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm 2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 2) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen 3) The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”. The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole. Die ZMY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index “F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden. 210 ZMY 1…ZMY 200 (1.3 W) Surface mount Silicon-Zener Diodes Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden (non-planar technology) für die Oberflächenmontage Version 2004-05-13 Maximum power dissipation 1.3 W Maximale Verlustleistung Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 1…200 V Plastic case MELF DO-213AB Kunststoffgehäuse MELF Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm Standard packaging taped and reeled see page 18 Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18 Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage. Advantages of non-planar Zener-Diodes: Improved clamping capability Increased max. zener current I Zmax Chips produced with Plasma-EPOS technology Molded plastic over passivated junction Vorteile der flächendiffundierten Zener-Dioden: Hohe Impulsfestigkeit Hoher max. Arbeitsstrom I Zmax Chips hergestellt in Plasma-EPOS-Technologie Passivierte Chips im Plastik-Gehäuse Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte Power dissipation – Verlustleistung T A = 50°C P tot 1.3 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms T A = 25°C P ZSM 40 W Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T j – 50...+150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur T S – 50...+175°C Thermal resistance junction to ambient air R thA < 45 K/W 1) Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal R thT < 10 K/W Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche |
Similar Part No. - ZMY5.6 |
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Similar Description - ZMY5.6 |
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