V23990-P705-F-PM

final data sheet

flow 90PACK 1 600V/ 50A

V23990-P705-F-01-14

Characteristic values/ Charateristische Werte

Description

Symbol

Conditions

Datasheet values

Unit

T(C°)

Other conditions

VGE(V)

VR(V)

VCE(V)

IC(A)

IF(A)

(Rgon-Rgoff)

VGS(V) VDS(V)

Id(A)

Min

Typ

Max

Transistor Inverter

Transistor Wechselrichter

Gate emitter threshold voltage

VCE=VGE

430u

5

5,8

6,5

V

Gate-Schwellenspannung

Tj=150°C

Collector-emitter saturation voltage

15

50

1,48

2,1

V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

Tj=125°C

1,68

Collector-emitter cut-off

Tj=25°C

0

600

0,35

mA

Kollektor-Emitter Reststrom

Tj=150°C

Gate-emitter leakage current

Tj=25°C

20

0

650

nA

Gate-Emitter Reststrom

Tj=150°C

Integrated Gate resistor

none

Ohm

Integrirter Gate Widerstand

Turn-on delay time

Tj=25°C

Rgon=8Ohm

15

300

50

ns

Einschaltverzögerungszeit

Tj=125°C

111

Rise time

Tj=25°C

Rgon=8Ohm

15

300

50

ns

Anstiegszeit

Tj=125°C

19

Turn-off delay time

Tj=25°C

Rgon=8Ohm

15

300

50

ns

Abschaltverzögerungszeit

Tj=125°C

196

Fall time

Tj=25°C

Rgon=8Ohm

15

300

50

ns

Fallzeit

Tj=125°C

96

Turn-on energy loss per pulse

Tj=25°C

Rgon=8Ohm

300

mWs

Einschaltverlustenergie pro Puls

0,53

Turn-off energy loss per pulse

Tj=25°C

Rgon=8Ohm

300

mWs

Abschaltverlustenergie pro Puls

1,7

Input capacitance

Tj=25°C

f=1MHz

0

25

3,14

nF

Eingangskapazität

Output capacitance

Tj=25°C

f=1MHz

0

25

0,2

nF

Ausgangskapazität

Reverse transfer capacitance

Tj=25°C

f=1MHz

0

25

0,09

nF

Rückwirkungskapazität

Gate charge

Tj=25°C

tbd

nC

Gate Ladung

Thermal resistance chip to heatsink per chip

Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip

R

thJH

Thermal grease

thickness”50um

1,42

K/W

Thermal resistance chip to case per chip

Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip

Warmeleitpaste

Dicke”50um

= 0,61 W/mK

K/W

Coupled thermal resistance inverter diode-transistor

Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Diode-Transistor

R

thJH

K/W

Coupled thermal resistance inverter transistor-transistor

Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Transistor-Transistor

R

thJH

K/W

Diode Inverter

Diode Wechselrichter

Diode forward voltage

Tj=25°C

300

50

1,57

V

Durchlaßspannung

Tj=125°C

1,52

Peak reverse recovery current

Tj=25°C

Vr=300V

300

50

A

Rückstromspitze

Tj=125°C

di/dt=200 A/μs

73,9

Reverse recovery time

Tj=25°C

Vr=300V

300

50

ns

Sperreverzögerungszeit

Tj=125°C

di/dt=200 A/μs

151

Reverse recovered charge

Tj=25°C

Vr=300V

300

50

uC

Sperrverzögerungsladung

Tj=125°C

di/dt=200 A/μs

3,69

Reverse recovered energy

Erec

Tj=25°C

300

50

mWs

Sperrverzögerungsenergie

Tj=125°C

0,91

Thermal resistance chip to heatsink per chip

Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip

R

thJH

Thermal grease

thickness”50um

1,9

K/W

Thermal resistance chip to case per chip

Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip

Warmeleitpaste

Dicke”50um

= 0,61 W/mK

K/W

Coupled thermal resistance inverter transistor-diode

Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Transistor-Diode

R

thJH

K/W

Coupled thermal resistance inverter diode-diode

Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Diode-Diode

R

thJH

K/W

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2

Revision: 1