Technische Information / technical information

DF200R12KE3

IGBT-Module

IGBT-Modules

-

1,65

2,15

V

-

1,65

-

V

-

210

-

A

-

270

-

A

-

30

-

µC

-

56

-

µC

-

14

-

mJ

-

26

-

mJ

-

-

0,12

K/W

-

-

0,20

K/W

-

-

0,15

K/W

Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse

MNm

terminal connection torque

Anschlüsse / terminals M6

2,5

-

5,0

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

forward voltage

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

Charakteristische Werte / characteristic values

Chopperdiode / chopper diode

Durchlassspannung

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

Innere Isolation

case, see appendix

3,0

340

g

weight

G

Gewicht

comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

M

mounting torque

CTI

Schraube M6 / screw M6

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

425

storage temperature

Gehäuse, siehe Anlage

internal insulation

125

°C

-

0,01

-

-

-

150

-40

-

K/W

°C

-

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

Transistor Wechelr. / transistor inverter

Inversdiode / free wheel diode

Innerer Wärmewiderstand; DC

thermal resistance, junction to case; DC

pro Modul / per module

Lagertemperatur

6,0

Nm

°C

-40

-

125

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

operation temperature

Chopper Diode / chopper diode

thermal resistance, case to heatsink

Übergangs Wärmewiderstand

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DB_DF200R12KE3_3.0

2002-10-07