2SB1121 / 2SD1621

No.1787-2/4

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

min

typ

max

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB=(--)20V, IE=0A

(--)0.1

μA

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB=(--)4V, IC=0A

(--)0.1

μA

DC Current Gain

hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA

100*

560*

hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A

65

Gain-Bandwidth Product

fT

VCE=(--)10V, IC=(--)50mA

150

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=(--)10V, f=1MHz

(32)19

pF

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA

(--0.35)0.18

(--0.6)0.4

V

Base-to-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA

(--)0.85

(--)1.2

V

Collector-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=(--)10μA, IE=0A

(--)30

V

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC=(--)1mA, RBE=∞

(--)25

V

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE=(--)10μA, IC=0A

(--)6

V

Turn-ON Time

ton

See specified Test Circuit.

(60)60

ns

Storage Time

tstg

See specified Test Circuit.

(350)550

ns

Fall Time

tf

See specified Test Circuit.

(25)25

ns

*: The 2SB1121 / 2SD1621 are classified by 100mA hFE as follows:

Rank

R

S

T

U

hFE

100 to 200

140 to 280

200 to 400

280 to 560

Package Dimensions

Switching Time Test Circuit

unit : mm (typ)

7007B-004

VR

RB

12V

--5V

+

+

50Ω

INPUT

OUTPUT

24Ω

100μF

470μF

PW=20μs

IC=20IB1= --20IB2=500mA

(For PNP, the polarity is reversed)

IB1

D.C.≤1%

IB2