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ZMY180 Datasheet(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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ZMY180 Datasheet(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
1 / 3 page ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W) ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2011-10-17 ZMY...G planar ZMY... non-planar Dimensions - Maße [mm] ZMY3.0G ... ZMY9.1G Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 3.0...9.1 V Glass case – Glasgehäuse MELF DO-213AB ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 10...200 V Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF DO-213AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte ZMY3.0G ... ZMY9.1G Power dissipation – Verlustleistung TA = 25°C Ptot 1.0 W 1) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TJ TS -50...+175°C -50...+175°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 150 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 70 K/W ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 Power dissipation – Verlustleistung TA = 50°C Ptot 1.3 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms TA = 25°C PZSM 40 W Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TJ TS -50...+150°C -50...+175°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 10 K/W 23 1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen 3 The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”. Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index “F” statt “Z” zu setzen © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 |
Similar Part No. - ZMY180 |
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