DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)

DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)

Rectifier Arrays

Gleichrichtersätze

Version 2011-07-08

Dimensions - Maße [mm]

Nominal power dissipation

Nenn-Verlustleistung

1.2 W

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

100...1000 V

9-pin Plastic case

9-Pin Kunststoffgehäuse

23 x 2.6 x 4.5 [mm]

Weight approx. – Gewicht ca.

0.6 g

Standard packaging bulk

Standard Lieferform lose im Karton

“DA811K...DA8110K”

common cathodes / gemeinsame Kathoden

“DA811A...DA8110A”

common anodes / gemeinsame Anoden

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

DA811A/K

100

120

DA814A/K

400

480

DA8110A/K

1000

1200

Max. power dissipation – max. Verlustleistung

Max. average forward rectified current, R-load

for one diode operation only

for simultaneous operation

600 mA 2)

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

für eine einzelne Diode

bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

30 A

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

50...+150°C

1

Per diode – Pro Diode

2

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

9

8

4

2

6

7

5

3

1

9

8

4

2

6

7

5

3

1

2.6

±0.2

8 x 2.54

Type / Typ