Technical Note

2/16

BU9829GUL-W

www.rohm.com

2010.09 - Rev.A

© 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

●

Memory cell characteristics (Ta=25℃, Vcc1=1.6～3.6V)

●

Input/output capacity (Ta=25℃, Frequency=5MHz)

Parameter

Limits

Unit

Parameter

Symbol Conditions

Limits

Unit

Min.

Typ.

Max.

Min. Max.

Write/Erase Cycle

*1

100,000

－

－

Cycle

Input Capacitance

*1

－

8pF

Data Retention

*1

10

－

－

Year

Output Capacitance

*1

8pF

*1 : Not 100% tested

*1:Not 100% TESTED

●

EEPROM DC operating characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-30～85℃, Vcc1=1.6～3.6V)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Test condition

Min.

Typ.

Max.

"H" Input Voltage1

VIH1

0.7xVcc1

－

Vcc1+0.3

V

2.5≦Vcc1≦3.6V

"H" Input Voltage2

VIH2 0.75xVcc1

－

Vcc1+0.3

V

1.6≦Vcc1＜2.5V

"L" Input Voltage1

VIL1

-0.3

－

0.3xVcc1

V

2.5V≦Vcc1≦3.6V

"L" Input Voltage2

VIL2

-0.3

－

0.25xVcc1

V

1.6V≦Vcc1＜2.5V

"L" Output Voltage1

VOL1

0

－

0.2

V

IOL=1.0mA , 2.5V≦Vcc1≦3.6V

"L" Output Voltage2

VOL2

0

－

0.2

V

IOL=1.0mA , 1.6V≦Vcc1＜2.5V

"H" Output Voltage1

VOH1

Vcc1-0.2

－

Vcc1

V

IOH=-0.4mA , 2.5V≦Vcc1≦3.6V

"H" Output Voltage1

VOH2

Vcc1-0.2

－

Vcc1

V

IOH=-100µA , 1.6V≦Vcc1＜2.5V

Input Leakage Current

ILI

-1

－

1

µA

VIN=0～Vcc1

Output Leakage Current

ILO

-1

－

1

µA

VOUT=0～Vcc1 , CSB=Vcc1

Operating Current Write

ICC1

－

－

1.5

mA

Vcc1=1.8V , fSCK =2MHz, tE/W=5ms

Byte Write, Page Write, Write Status Register

ICC2

－

－

2.0

mA

Vcc1=2.5V , fSCK =5MHz,tE/W=5ms

Byte Write, Page Write, Write Status Register

Operating Current Read

ICC3

－

－

0.2

mA

Vcc1=1.8V , fSCK=2MHz , SO=OPEN

Read, Read Status Register

ICC4

－

－

0.6

mA

Vcc1=2.5V , fSCK=5MHz,SO=OPEN

Read, Read Status Register

Standby Current

ISB

－

－

1.0

µA

Vcc1=3.6V , CSB=Vcc1 , SCK ,

SI=Vcc1/GND ,SO=OPEN

○

This product is not designed for protection against radioactive rays.

●

EEPROM AC operating characteristics (Ta=-30～85℃)

Parameter

Symbol

1.6≦VCC1＜1.8V

1.8≦VCC1≦3.6V

Unit

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

SCK clock Frequency

fSCK

－

－

2.5

－

－

5

MHz

SCK High Time

tSCKWH

200

－

－

80

－

－

ns

SCK Low Time

tSCKWL

200

－

－

80

－

－

ns

CSB High Time

tCS

200

－

－

90

－

－

ns

CSB Setup Time

tCSS

150

－

－

60

－

－

ns

CSB Hold Time

tCSH

150

－

－

60

－

－

ns

SCK Setup Time

tSCKS

50

－

－

50

－

－

ns

SCK Hold Time

tSCKH

50

－

－

50

－

－

ns

SI Setup Time

tDIS

50

－

－

20

－

－

ns

SI Hold Time

tDIH

50

－

－

20

－

－

ns

Output Data Delay Time

tPD

－

－

100

－

－

80

ns

Output Hold Time

tOH

0

－

－

0

－

－

ns

Outuput Disable Time

*1

tOZ

－

－

200

－

－

80

ns

SCK Rise Time

*1

tRC

－

－

1

－

－

1

µs

SCK Fall Time

*1

tFC

－

－

1

－

－

1

µs

Output Rise Time

*1

tRO

－

－

50

－

－

50

ns

Output Fall Time

*1

tFO

－

－

50

－

－

50

ns

Write Cycle Time

tE/W

－

－

5

－

－

5

ms

Wait Time From Vcc1 ON To

EEPROM Command

tON

15

－

－

15

－

－

ms

*1 : Not 100% tested