H772 datasheet(1/3 Pages) HUASHAN

Part #	H772

Description	PNP SILICON TRANSISTOR

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Manufacturer	HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

█　ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ　

Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T

a=25℃）

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T

a=25℃）

Symbol　

Parameter　

Min　

Typ　

Max　

Unit　

Test Conditions　

ICBO

Collector-Base Cutoff Current　

－１　

μＡ　 VCB=-30V, IE=0

IEBO

Emitter- Base Cutoff Current

－１　

μＡ　 VEB=-5V, IC=0

hFE

DC Current Gain　

６０　

４００　

VCE=-2V, IC=-1A

VCE（sat）

Collector- Emitter Saturation Voltage

－０．３　－０．５　

Ｖ　

IC=-2A, IB=-0.2A

VBE（sat）

Base -Emitter

Saturation Voltage

－１．０　－２．０　

Ｖ　

IC=-2A, IB=-0.2A

Cob

Output Capacitance

５５　

ｐＦ　

VCB=-10V,IE=0,f=1MHz

fT　

Current Gain- Bandwidth Product　

８０　

ＭＨｚ　 VCE=-5V，IE=-0.1A

█　hFE Classification

R　　

Ｏ　　

Ｙ　　

Ｇ　

60—120

100—200

160—320

200—400

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R

Tstg——Storage Temperature………………………… －55~150℃

Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃　

PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………… 10W

PC——Collector Dissipation（TA=25℃）…………………… 1W

VCBO ——Collector-Base Voltage………………………… -40V

VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………… -30V

VEBO——Emitter-Base Voltage…………………………… -5V

IC——Collector Current（DC）……………………………-3A

Ib——Base Current （DC）………………………………-0.6A

H772

TO-126ML

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

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