D320AG-00 datasheet(1/1 Pages) HUASHAN

Part #	D320AG-00

Description	NPN SILICON TRANSISTOR

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Manufacturer	HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

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汕头华汕电子器件有限公司

█　芯片简介

█　管芯示意图　

█ 极限值（T

a=25℃）（封装形式：TO-220）

█ 电参数（T

a=25℃）（封装形式：TO-220）

参数符号

符

号

说

明

最小值典型值最大值

单位

测

试

条

件

BVCEO(sus)

IEBO

hFE

VCE(sat)

VBE(sat)

Cob

fT

tON

tSTG

tF

集电极— 发射极维持电压

发射极— 基极截止电流

直流电流增益

集电极— 发射极饱和电压

基极— 发射极饱和电压

共基极输出电容

特征频率

导通时间

载流子贮存时间

下降时间

400

10

5

4

110

1

40

30

1

2

3

1.2

1.6

3

0.7

V

mA

V

pF

MHz

µs

IC=10mA ，IB=0

VEB=9V，IC=0

VCE=5V，IC=2A

VCE=5V，IC=5A

IC=2A，IB=0.4A

IC=5A，IB=1A

IC=8A，IB=2A

IC=2A，IB=0.4A

IC=5A，IB=1A

VCB=10V，f=0.1MHz

VCE=10V，IC=0.5A

VCC=125V，IC=5A，

IB1=-IB2=1A

Tstg——贮存温度…………………………………… －55~150℃

Tj——结温………………………………………………… 150℃　

PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………… 80W

VCBO——集电极—基极电压……………………………… 700V

VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V

VEBO——发射极—基极电压………………………………… 9V

IC——集电极电流（DC）…………………………………… 8A

IC——集电极电流（脉冲）………………………………… 12A

IB——基极电流…………………………………………………4A

N P N

S I L I C O N

T R A N S I S T O R

13007 晶体管芯片说明书

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：D320AG-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：3200×3200µm 2

焊位尺寸：B 极 560×740µm2；E 极 560×1080µm 2

电极金属：铝

背面金属：银

典型封装：ＫＳＥ１３００７，ＨＥ１３００７

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