Electronic Components Datasheet Search |
|
C043BJ-01 Datasheet(PDF) 1 Page - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
|
C043BJ-01 Datasheet(HTML) 1 Page - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
|
1 / 1 page 汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 极限值(T a=25℃) (封装形式:TO-92) █ 电参数(T a=25℃) (封装形式:TO-92) 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率 80 80 30 180 160 6 100 0.05 0.05 280 0.15 0.2 1 1 300 µA µA V V V V V V V MHz VCB=120V,IE=0 VEB=4V,IC=0 VCE=5V,IC=1mA VCE=5V,IC=10mA VCE=5V,IC=50mA IC=10mA,IB=1mA IC=50mA,IB=5mA IC=10mA,IB=1mA IC=50mA,IB=5mA IC=100µA,IE=0 IC=1mA,IB=0 IE=10µA,IC=0 VCE=10V,IC=10mA f=100MHz NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Tstg——贮存温度…………………………………… -55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………625mW VCBO——集电极—基极电压………………………………180V VCEO——集电极—发射极电压……………………………160V VEBO——发射极—基极电压…………………………………6V IC——集电极电流…………………………………………600mA 5551 晶体管芯片说明书 芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:C043BJ-01 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:430×430µm 2 焊位尺寸:B 极 107×107µm2,E 极 101×101µm2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:2N5551,H5551 |
Similar Part No. - C043BJ-01 |
|
Similar Description - C043BJ-01 |
|
|
Link URL |
Privacy Policy |
ALLDATASHEET.COM |
Does ALLDATASHEET help your business so far? [ DONATE ] |
About Alldatasheet | Advertisement | Datasheet Upload | Contact us | Privacy Policy | Link Exchange | Manufacturer List All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |