NXP Semiconductors

PDTB113E series

PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 1 k

Ω, R2 = 1 kΩ

© NXP B.V. 2009.

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Date of release: 16 November 2009

Document identifier: PDTB113E_SER_2

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13. Contents

1

Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.1

General description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.2

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.3

Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.4

Quick reference data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

2

Pinning information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

3

Ordering information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

4

Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

5

Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

6

Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

7

Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

8

Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

9

Packing information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

10

Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

11

Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

11.1

Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

11.2

Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

11.3

Disclaimers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

11.4

Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

12

Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

13

Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10