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汕头华汕电子器件有限公司
N P N
S I L I C O N
T R A N S I S T O R
HP122
对应国外型号
TIP122
█ 主要用途
█ 外形图及引脚排列
该器件为达林顿三极管内含阻尼二极管，用于高增益电路。
█ 极限值（T
a=25℃）
1―基
极，B
2―集电极，C
3―发射极，E
TO-220
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温…………………………………………… 150℃
PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………… 65W
PC——集电极功率耗散（TA=25℃）…………………………2W
VCBO——集电极—基极电压……………………………… 100V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 100V
VEBO——发射极—基极电压………………………………… 5V
IC——集电极电流…………………………………………… 5A
█ 电参数（T
a=25℃）
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 位
测
试
条
件
ICEO
ICBO
IEBO
hFE
VCE（sat）
BVCBO
BVCEO
集电极—发射极截止电流
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
1000
100
100
0.2
0.2
2
2
4.0
mA
mA
mA
V
V
V
V
VCE=100V, IB=0
VCB=100V, IE=0
VBE=5V, IC=0
VCE=3V, IC=0.5A
IC=3A, IB=12mA
IC=5A, IB=20mA
IC=1mA, IE=0
IC=5mA, IB=0
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