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Q62702P3558 Datasheet(PDF) 3 Page - OSRAM GmbH |
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Q62702P3558 Datasheet(HTML) 3 Page - OSRAM GmbH |
3 / 7 page SPL LL85 2006-04-12 3 Optische Kennwerte ( T A = 25 °C) Optical Characteristics Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. typ. max. Zentrale Emissionswellenlänge 1) Emission wavelength 1) λ 840 850 860 nm Spektralbreite (Halbwertsbreite) 1) Spectral width (FWHM) 1) ∆λ – 4 9 nm Spitzenausgangsleistung 1) Peak output power 1) P opt 12 14 18 W Ladespannung an der Laserschwelle Charge Voltage at laser threshold U C, th 1.2 1.5 2.0 V Pulsbreite (Halbwertsbreite) 1), 2) Pulse width (FWHM) 1), 2) t p 25 28 31 ns Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%) 1), 2) Rise and fall time (10% … 90%) 1), 2) t r, t f 7.0 26 9.5 29 12.0 32 ns ns Austrittsöffnung Aperture size w × h – 200 × 2 – µm2 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum pn-Übergang 1) Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction 1) θ || 12 15 18 Grad deg. Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum pn-Übergang 1) Beam divergence (FWHM) perpendicular to pn-junction 1) θ⊥ 27 30 33 Grad deg. Temperaturkoeffizient der Wellenlänge Temperature coefficient of wavelength ∂λ / ∂T – 0.25 0.32 nm/K Thermischer Widerstand Thermal resistance R th – 200 – K/W Einschaltpunkt der Gate-Spannung Switch on gate voltage V G on – 4.5 – V 1) Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >40ns Trigger-Pulsbreite, 1kHz Pulswiederholrate, 6.7V Ladespannung, 15V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec EL7104C. Values refer to the following standard operating conditions: >40ns trigger pulse width, 1kHz pulse repetition rate, 6.7V charge voltage, 15V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C. 2) Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300pF) des internen Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei Trigger-Pulsbreiten <40ns. Dies bewirkt jedoch auch eine reduzierte optische Spitzenleistung (siehe Diagramme auf Seite 5). Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300pF) of the internal transistor. Reduced pulse widths, rise and fall times occur at trigger pulse widths <40ns. This also reduces the optical peak power (see diagrams on page 5). LASER COMPONENTS IG, Inc., 9 River Road, Hudson, NH 03051 - USA, Phone: +1 603 821 7040, Fax: +1 603 821 7041, info@laser-components.com |
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