BLVP304 datasheet(1/2 Pages) BELLING

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P

PP

P 沟纵向

沟纵向

沟纵向 MOSFET

MOSFET

描述

描述:

::

:

P 沟增强型 VDMOS，高速开关，无二次击穿

产品应用：

电话机电路

继电器电路

驱动电路等

工作条件

工作条件 (T=25

(T=25

(T=25℃

℃

℃)

))

)

符号

参数

极限值

单位

VDSS

漏源电压

-300

V

VGSS

栅源电压

+ 20

V

ID

漏电流

-170

mA

PD

Power Dissipation for Dual Operation

1

W

Tj, TSDG

结温度和存储温度

-55 to +150

oC

热特性

R

th j-a

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

K/W

电学特性

电学特性(T

(T

A

AA

A=25

=25

o

oo

oC)

C)

符号

参数

测试条件

最小

最小典型

典型

典型最大

最大

单位

DSS

BV

源漏击穿电压

V

GS

0

=

,

uA

I

D

10

−

=

-300

-

V

DSS

I

零栅压时的漏极电流

V

DS

240

−

=

,

V

GS

0

=

-

-100

nA

GSS

I

栅和衬底之间的漏电流

V

GS

20

±

=

,

V

DS

0

=

-

+100

nA

)

(th

GS

V

阈值电压

GS

DS

V

=

,

mA

I

D

1

−

=

-1.7

-

-2.55

V

)

(on

DS

R

导通电阻

V

GS

10

−

=

,

mA

I

D

170

−

=

-

18

Ω

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