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SG-710PHK Datasheet(PDF) 2 Page - Epson ToYoCom |
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2 / 2 page  38 ■仕 様（特性） 項 目 記 号 仕 様 条 件 -0.5 V∼+7.0 V 3.3 V±0.3 V 5.0 V±0.5 V ± 5× 10-6 /年 Max. 出力周波数範囲 電 源 電 圧 周 波 数 安 定 度 消 費 電 流 デ ュ ー テ ィ ディセーブル時電流 出 力 上 昇 時 間 出 力 下 降 時 間 発 振 開 始 時 間 経 時 変 化 fO VDD-GND VDD TSTG TOPR f/fO lOP tW /t VOH VOL CL VIH VIL lOE tTLH tTHL tOSC fa 保 存 温 度 動 作 温 度 温 度 範 囲 最 大 供 給 電 圧 動 作 電 圧 SG-710PTW SG-710STW SG-710PHW SG-710SHW 10 ms Max. 30 mA Max. 67.0001MHz ∼135.0000MHz 80.0001MHz∼135.0000MHz -20 ˚C∼+70 ˚C -40 ˚C∼+85 ˚C Ｂ: ±50× 10-6 Ｃ: ±100× 10-6 0.8 V Max. 2.0 V Min. 45 mA Max. 28 mA Max. 40 %∼60 % 0.4 V Max. 無負荷 (fo=Max. 値 ) CMOS負荷：1 /2VDDレベル Ta=+25 ˚C, VDD=5 V /3.3 V, 初年度 最小値動作電圧のtを０とする OE,ST端子 f0≦135 MHz f0≦90 MHz f0≦135 MHz f0≦125 MHz 単品での保存 OE,ST端子 OE=GND (P＊W) 出力負荷条件（ CMOS） SG-710PCW SG-710SCW 40 %∼60 % 16 mA Max. スタンバイ時電流 50 µA Max. ST=GND (S＊W) VDD-0.4 V Min. 0.7 VDD Min. 0.2 VDD Max. 2.0 ns Max. 4.0 ns Max. “H”レベル出力電圧 “L”レベル出力電圧 “H”レベル入力電圧 “L”レベル入力電圧 3.0 ns Max. TTL負荷：1.4 Vレベル IOH=-16 mA(＊TW/＊HW)/-8 mA(＊CW) IOL=16 mA(＊TW/＊HW)/8 mA(＊CW) ー 2.0 ns Max. 4.0 ns Max. ー ー ー 3.0 ns Max. ー ー ー ー 3.0 ns Max. ー ー 3.0 ns Max. – – 15 pF 25 pF – – 15 pF – 15 pF 5 TTL + 15 pF – – TTL負荷: 0.8 V → 2.0 V, CL=Max. TTL負荷: 0.4 V → 2.4 V, CL=Max. CMOS負荷: 20% VDD → 80% VDD, CL=Max. TTL負荷: 2.0 V → 0.8 V, CL=Max. TTL負荷: 2.4 V → 0.4 V, CL=Max. CMOS負荷: 80% VDD → 20% VDD, CL=Max. -55 ˚C∼+125 ˚C ー ー ー lST -20 ˚C∼+70 ˚C ± 20× 10-6 Max. 耐 衝 撃 性 S.R. 硬木上750 mm × 3回または 29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3 方向 M: ±100× 10-6 -40 ˚C∼+80 ˚C P.31製品別周波数帯を参照してください P.31製品別周波数帯を参照してください Crystal oscillator |
Similar Part No. - SG-710PHK |
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Similar Description - SG-710PHK |
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