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STK404-090S Datasheet(PDF) 5 Page - Sanyo Semicon Device |
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STK404-090S Datasheet(HTML) 5 Page - Sanyo Semicon Device |
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5 / 6 page  STK404-090S No.7728-5/6 放熱設計方法 H-IC 動作時の基板内全消費電力を Pd とすると、必要な放熱器の熱抵抗 θc-a は次のようにして求め られます。 条件 1 H-IC の基板温度 Tc が 125℃を越えないこと。 Pd× θc-a＋Ta＜125℃························· (1) Ta：セットの保証周囲温度 条件 2 個々のパワー･トランジスタのジャンクション温度 Tj が 150℃を越えないこと。 Pd× θc-a＋Pd/N×θj-c＋Ta＜150℃············· (2) N：パワー・トランジスタの個数 θj-c：パワー・トランジスタ 1 石当りの熱抵抗 ただし、パワー・トランジスタの消費電力は、Pd を N 個で均等に分担する ものとします。 (1)、(2)式を θc-a について整理すると以下の式が得られます。 θc-a＜(125−Ta)/Pd ························· (3) θc-a＜(150−Ta)/Pd−θj-c/N ················· (4) この 2 式を同時に満足する値が、必要とする放熱器の熱抵抗 θc-a となります。 [設計例] 実際の音楽信号に対して、このような連続信号で消費電力を見積もるとき ・PO max.（安全規格に より多少異なる）の Pd を使用するのが一般的です。 VCC=±32V、RL=6Ωのとき、基板内全消費電力 Pd は、次式のように表されます。 Pd=23W( ・PO max.=6.3W 時) ················· (5) H-IC の AUDIO アンプ部パワー・トランジスタの個数 N は 2 個であり、1 石当りの熱抵抗 θj-c は 2.2℃/W です。 保証周囲温度 Ta を 50℃とすると、必要とする放熱器の熱抵抗 θc-a は、 (3)式より θc-a＜(125−50)/23=3.26 ···················· (6) (4)式より θc-a＜(150−50)/23−2.2/2=3.24·············· (7) (6)、(7)式を同時に満足する 3.24℃/W が、必要とする放熱器の熱抵抗となります。 なお、この放熱設計例は定電圧電源使用での参考例であり、貴社にてセット実装での設計確認をお 願い致します。 8 1 8 1 |
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