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2001-02-21
2
BPX48, BPX48 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op; Tstg
– 40 … + 80
°C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse
entfernt bei Lötzeit
t
≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from
case bottom (
t
≤ 3 s)
T
S
230
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
10
V
Verlustleistung,
T
A = 25 °C
Total power dissipation
P
tot
50
mW
Kennwerte (
T
A = 25 °C) für jede Einzeldiode
Characteristics (
T
A = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 48
BPX 48 F
Fotostrom
Photocurrent
V
R = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K, E
V = 1000 Ix
V
R = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm
2
I
P
I
P
24 (
≥ 15)
–
–
7.5 (
≥ 4.0)
µA
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
900
920
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
λ
400 … 1150
750 … 1150
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
1.54
1.54
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L
× B
L
× W
0.7
× 2.2
0.7
× 2.2
mm
× mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
0.5
0.5
mm
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