MCH6933

No.8038-1/6

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

特長

・PNP トランジスタと N-ch MOSFET を 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。

・超小型パッケージのため、セットの小型化 , 薄型化が可能である。

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

項目

記号

条件

定格値

unit

[TR 部]

コレクタ・ベース電圧

VCBO

−15

V

コレクタ・エミッタ電圧

VCEO

−12

V

エミッタ・ベース電圧

VEBO

−5

V

コレクタ電流

IC

− 0.5

A

コレクタ電流

（パルス）

ICP

−1

A

コレクタ損失

PC

0.5

W

接合部温度

Tj

150

℃

[FET 部]

ドレイン・ソース電圧

VDSS

30

V

ゲート・ソース電圧

VGSS

±10

V

ドレイン電流

ID

150

mA

ドレイン電流

（パルス）

IDP

PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1％

600

mA

許容損失

PD

0.5

W

チャネル温度

Tch

150

℃

[共通定格]

全損失

P T

0.55

W

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

項目

記号

条件

定格値

unit

min

typ

max

[TR 部]

コレクタしゃ断電流

ICBO

VCB=− 12V, IE=0

− 100

nA

エミッタしゃ断電流

IEBO

VEB=− 4V, IC=0

− 100

nA

直流電流増幅率

hFE

VCE=− 2V, IC=− 10mA

300

700

利得帯域幅積

fT

VCE=− 2V, IC=− 50mA

490

MHz

出力容量

Cob

VCB=− 10V, f=1MHz

4

pF

単体品名表示：EY

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注文コード No. N8038

12805EA TS IM ◎川浦 TB-00001163

MCH6933

TR : PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ

FET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ

パワーマネージメントスイッチ用

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、

多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥

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